首页 技术

Nexperia推出业界领先的汽车级1200 V碳化硅MOSFET

2025-05-20 11:02 来源: 盖世汽车

盖世汽车讯 据外媒报道,全球半导体制造商Nexperia宣布推出一系列高效、坚固耐用的汽车级碳化硅(SiC)MOSFET,其导通电阻(RDS(on))分别为30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q和NSF060120D7A0-Q)提供业界领先的性能系数(FoM),此前以工业级规格供应,现已获得AEC-Q101认证。这使得它们非常适合汽车应用,例如电动汽车(EV)中的车载充电器(OBC)和牵引逆变器,以及直流-直流转换器、暖通空调系统(HVAC)。这些开关采用日益流行的表面贴装D2PAK-7封装,与通孔器件相比,这种封装更适合自动化装配操作。

Nexperia推出业界领先的汽车级1200 V碳化硅MOSFET

图片来源: Nexperia

返回首页
相关新闻
返回顶部