3月29日，无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地正式动工。该项目总投资1.8亿元，占地32亩，规划年产300万只IGBT/SiC模块，一期建设2条车规级SiC封装测试产线，预计2027年3月投产，年产能达150万只。

　　项目将引入百余台设备及MES系统，实现产线自动化与数字化。利普思成立于2019年，专注SiC功率模块研发生产，已开发超300款产品，出口20余国。公司3月中旬完成亿元PreB+轮融资，由扬州国金等投资，用于基地建设和市场拓展。当天还发布4款新品，并与多家企业签署战略合作，董事长丁烜明表示将聚焦重卡等领域，力争成为SiC模块头部企业。